來自韓國大學(xué)的研究人員已經(jīng)開發(fā)了一種簡單和微電子兼容的方法來生長石墨烯,并且公開宣布成功在硅基板上合成晶圓級(直徑為4英寸)、高質(zhì)量和多層的石墨烯。方法是基于一個(gè)離子注入技術(shù),該過程中是離子在加速電場下被加速,轟擊半導(dǎo)體基體。受影響的離子被改變了物理、化學(xué)或半導(dǎo)體等的電學(xué)性質(zhì)。
離子注入技術(shù)在半導(dǎo)體材料中通常用于引入雜質(zhì)。在這個(gè)過程中,碳離子在一個(gè)電場加速下,被轟擊到一個(gè)分層的表面,該表面由鎳、二氧化硅和硅在500攝氏度的溫度下形成。鎳層具有高溶碳性,被作為催化劑合成石墨烯。
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